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Everspin发布将1 Gb STT-MRAM与Xilinx DDR4 FPGA配合使用的设计指南

Everspin宣布了一份全面的设计指南,以简化其在存储市场中的1 Gb自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)产品的集成。Xilinx,Inc.是自适应和智能计算的领导者,已经两代支持Everspin的STT-MRAM,并在Xilinx Vivado开发环境中使用其DDR4控制器启用了1 Gb STT-MRAM解决方案。  

 

Everspin和Xilinx集成解决方案提供了许多好处,包括设计指南和工具结构化以解决:

•时间:降低工作频率,增加行访问时间,增加计数器宽度并减小CAS页面大小

•加电:在校准期间启用防涂鸦模式

•掉电:将所有相关数据加扰或移动到持久性存储器阵列中

•性能:增加管道深度和数据传输效率

•脚本:提供Verilog模型和其他详细信息,以获取存储OEM的设计并有效运行

 

“ MRAM和永久性存储器是一项广泛的,越来越重要的技术。解决方案,” Xilinx数据中心组计划和存储部门总监Jamon Bowen说道。“我们看到许多应用中,诸如断电保护之类的高级功能至关重要。它的看到像Everspin这样的合作伙伴让客户轻松开发世界一流的内存令人兴奋利用Xilinx平台的子系统。”

 

Everspin的STT-MRAM设备使企业基础架构和数据中心提供商能够增加高性能数据持久性至关重要的系统的可靠性和性能。这通过在不使用超级电容器的情况下提供防止功率损耗的保护来实现电池。此外,更大的密度1 Gb部分可提供更有效的I / O管理流,从而创建更高级别的延迟确定性,并允许存储OEM显着提高提高其产品的服务质量。使用1 Gb也可以实现类似的好处STT-MRAM设备作为存储和结构加速器中的持久数据写入缓冲区,计算存储和其他应用程序。

 

Everspin销售与营销副总裁Troy Winslow说:我们重视与Xilinx的合作关系,并将继续与他们合作,将我们的STTMRAM解决方案推向市场。提供本设计指南和工具将有助于简化集成,并缩短产品上市时间。客户为数据中心提供增强的应用程序。

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