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  • Everspin官网中文新闻频道::2024年10月9日Everspin公司重要资讯、突发新闻

    Everspin宣布了一份全面的设计指南,以简化其在存储市场中的1 Gb自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)产品的集成。

    Everspin的STT-MRAM设备使企业基础架构和数据中心提供商能够增加低延迟数据持久性至关重要的系统的可靠性和性能。

    Everspin的新32Mb Toggle MRAM(MR5A16A)的容量是其当前16Mb解决方案的两倍,并且能够实现关键应用程序,例如在嵌入式系统中存储配置和设置以及数据记录需要更高密度选项的系统,同时

    Everspin一直在批量生产其256 Mb STT-MRAM产品,现在将其突破性的1 Gb容量产品添加到其产品阵容中,从而扩展了Everspin在STT-MRAM存储组件制造领域的领导地位。

    Everspin今天宣布在德国Embedded World上专门针对工业和物联网应用开发STT-MRAM。

    Everspin的8位并行接口MRAM是SRAM兼容的,具有35 / 45ns的访问时序和无限的耐用性。数据非易失性超过20年。......
    Everspin的最新MRAM技术利用自旋扭矩传递特性,即利用极化电流操纵电子的自旋,以建立自由层的所需磁状态,以对存储阵列中......
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