全球领先的磁阻RAM（MRAM）开发和制造商Everspin Technologies，Inc.（NASDAQ：MRAM）今天宣布已完成开发活动，并已进入其28 nm 1-Gigabit Spin-transfer的试生产阶段。扭矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）产品。Everspin一直在批量生产其256 Mb STT-MRAM产品，现在将其突破性的1 Gb容量产品添加到其产品阵容中，从而扩展了Everspin在STT-MRAM存储组件制造领域的领导地位。

Everspin的STT-MRAM设备使企业基础架构和数据中心提供商能够提高高性能数据持久性的系统的可靠性和性能在不使用超级电容器或电池的情况下提供防止功率损耗的保护，这一点至关重要。在此外，更大的1 Gb密度部件可更有效地管理I / O流，从而创建了一个更高水平的延迟确定性，并允许存储OEM显着提高存储质量他们产品的服务。使用1 Gb STT-MRAM器件也可以获得类似的好处，因为存储和结构加速器，计算存储及其他中的持久数据缓冲区应用程序。

“ Everspin团队在完成我们开创性的开发工作方面表现非常出色1 Gb STT-MRAM设备。这是STT-MRAM进军的又一个里程碑式的里程碑更大的市场机会，使密度大大超过了以前的256 Mb部件以及更主流的基于DDR4的接口，” Everspin的Kevin Kevin Conley说道。总裁兼首席执行官。 “我们也很高兴在客户资格和收益方面都取得了进步成熟度仍在按计划进行，预计将于第三季度开始量产。”

Everspin的1 Gb产品系列包括8位和16位DDR4兼容（ST-DDR4）接口版本的设备，并在符合JEDEC的BGA封装中提供。