Everspin的256Mb STT-MRAM（ST-DDR3）使企业基础架构和数据中心提供商无需使用超级电容器或电池即可提供防止功率损耗的保护，从而提高了高性能数据持久性至关重要的系统的可靠性和性能。

采用类似于JEDEC的DDRx接口设计，并对STT-MRAM功能进行了特定修改

高带宽（每个引脚1333 MT / s）具有真正的字节寻址能力和极低的延迟

极高的耐用性简化了系统设计，即使在高需求内存工作负载下也是如此

256Mb STT-MRAM（ST-DDR3）

256兆 667MHz的 32Mb x8、16Mb x16 EMD3D256M