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自旋转扭矩MRAM技术 - Everspin
Everspin自旋转扭矩MRAM技术

Everspin的最新MRAM技术利用自旋扭矩传递特性,即利用极化电流操纵电子的自旋,以建立自由层的所需磁状态,以对存储阵列中的位进行编程或写入。

 

与Toggle MRAM相比,自旋传递扭矩MRAM或STT-MRAM显着降低了开关能量,并且具有高度可扩展性,从而可以实现更高密度的存储产品。我们的第三代MRAM技术使用垂直MTJ。我们已经开发了具有高垂直磁各向异性的材料和垂直MTJ叠层设计,可提供长数据保留,小单元尺寸,更大密度,高耐用性和低功耗。

 

1Gb是最新一代的STT-MRAM,利用的是ST-DDR4,它是类似于JEDEC的DDR4接口,需要进行一些修改才能利用MRAM技术的持久性。 这些产品的性能类似于持久性DRAM,但无需刷新。计划开发其他产品,这些产品将利用高速串行接口用于各种嵌入式应用。

Everspin公司被热门关注的产品(2024年6月16日)
MR25H128PDFR
存储器
产品封装:-
MR1A16AVMA35R
存储器
产品封装:48-LFBGA
MR256A08BCYS35
存储器
产品封装:44-TSOP(0.400,10.16mm 宽)
MR3A16AYS35
存储器
产品封装:54-TSOP(0.400,10.16mm 宽)
MR2A08AMYS35R
存储器
产品封装:44-TSOP(0.400,10.16mm 宽)
MR0A16AMA35R
存储器
产品封装:48-LFBGA
MR4A08BCMA35
存储器
产品封装:48-LFBGA
MR3A16AMA35
存储器
产品封装:48-LFBGA
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