Everspin的最新MRAM技术利用自旋扭矩传递特性，即利用极化电流操纵电子的自旋，以建立自由层的所需磁状态，以对存储阵列中的位进行编程或写入。

与Toggle MRAM相比，自旋传递扭矩MRAM或STT-MRAM显着降低了开关能量，并且具有高度可扩展性，从而可以实现更高密度的存储产品。我们的第三代MRAM技术使用垂直MTJ。我们已经开发了具有高垂直磁各向异性的材料和垂直MTJ叠层设计，可提供长数据保留，小单元尺寸，更大密度，高耐用性和低功耗。

1Gb是最新一代的STT-MRAM，利用的是ST-DDR4，它是类似于JEDEC的DDR4接口，需要进行一些修改才能利用MRAM技术的持久性。 这些产品的性能类似于持久性DRAM，但无需刷新。计划开发其他产品，这些产品将利用高速串行接口用于各种嵌入式应用。