Everspin Technologies，Inc.总部位于亚利桑那州钱德勒，是设计，制造和商业销售离散和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋传递扭矩MRAM（STT-MRAM）的全球领导者，其市场和应用领域涉及数据持久性和可靠性。完整性，低延迟和安全性至关重要。Everspin在数据中心，云存储，能源，工业，汽车和运输市场中部署了超过1.2亿个MRAM和STT-MRAM产品，为全球MRAM用户奠定了最强大，增长最快的基础。 

MRAM的核心竞争力： 从垂直到现场转换 

Everspin在磁存储器设计，制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有超过600项有效专利和申请的知识产权组合，在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。  

制造业-交付能力

2014年，Everspin与GLOBALFOUNDRIES合作，在包括40nm，28nm及更高工艺在内的先进技术节点上完成了交钥匙300mm大批量平面内和垂直MTJ ST-MRAM的批量生产。此外，Everspin在亚利桑那州钱德勒拥有并运营一条集成的磁性生产线，Everspin在此生产基于180nm，130nm和90nm工艺技术节点的MRAM产品。产品包装和测试业务遍及中国，台湾和其他亚洲国家。

Everspin是独立MRAM解决方案的开拓者和市场领导者。凭借650多项专利和正在申请的专利，我们的IP产品组合使Everspin在MRAM解决方案的批量生产方面处于行业领先地位。我们还将IP许可给其他公司，这些公司正在为各种不同的市场应用开发和提供其他解决方案。

Everspin除了是业内第一批MRAM供应商之外，还拥有和运营位于亚利桑那州钱德勒的集成磁制造线。Everspin当前的产品基于180纳米和130纳米工艺技术节点。产品包装和测试业务遍及中国，台湾和其他亚洲国家。Everspin正在向全球领先的客户运送大量的MRAM产品。我们拥有成熟的全球供应链，并致力于最高质量和寿命。

总裁兼首席执行官: 达琳·比勒贝克（Darin Billerbeck）

达琳·比勒贝克（Darin Billerbeck）自2018年8月以来一直担任我们的董事会成员，目前是董事会执行主席。他还是精密医疗产品的董事会顾问。Billerbeck先生担任莱迪思半导体（Lattice Semiconductor）首席执行官已有7年以上，直到2018年退休。在莱迪思（Lattice）任职期间，他稳步提高了股东价值，同时扩大了公司的技术，产品和知识产权。此外，他对美国和中国的知识产权法，特别是在美国外国投资委员会（CFIUS）方面有着深入的了解。加入莱迪思之前，Billerbeck担任Zilog的总裁兼首席执行官，该公司于2010年被IXYS Corporation收购。在加入Zilog之前，Billerbeck在Intel担任各种执行和管理职务超过18年，包括Flash产品事业部副总裁兼总经理。Billerbeck还领导了存储器领域的几个关键工程职能，包括设计工程总监，包装总监和运营总监。Billerbeck先生获得了加州大学戴维斯分校的机械工程学学士学位。Darin为Everspin的董事会带来了广泛的经验，涉及微控制器，可编程逻辑和存储技术以及上市半导体公司的首席执行官。Billerbeck在记忆方面的丰富经验，